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- 規格型號：19986685
- 頻率：1.25 MHz ~100.0 MHz
- 尺寸：25.4x25.4 mm
- 產品描述：貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領...
MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器
MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器，石英晶體振蕩器在設計時就與各款型號IC匹配等相關技術，使用IC與晶片設計匹配技術：是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等有它的特殊性，必須考慮振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數。
插件式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
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插件式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。
石英晶振真空退火技術：晶振廠家高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性，以及提高石英晶振的年老化特性MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器,
| 石英晶振規格 | 單位 | OC11T 25.4*25.4mm 晶振說明 | 進口振蕩器基本條件 |
| 額定頻率范圍 | f_nom | 1.25 MHz ~100.0 MHz | 標準頻率 |
| 儲存溫度 | T_stg | -40°C ～ +85°C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -10°C ～ +70°C | 標準溫度 |
| 電源電壓 | SV | 2.5V 1.8V 3.3V 5V 12V | |
| 頻率公差 | f_— l |
±50 × 10-6 (標準), (±15 × 10-6 ～ ±100 × 10-6 可用) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息. |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C | 超出標準的規格請聯系我們. |
| 負載電容 | CL | 15pF | 超出標準說明,請聯系我們. |
| 串聯電阻（ESR） | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
粘合劑
請勿使用可能導致產品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制石英晶振）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用SMD晶振產品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞恒溫晶振產品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。
請勿使用可能導致產品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制石英晶振）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用SMD晶振產品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞恒溫晶振產品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。
MERCURY晶振集團認識到進行環境管理和資源保持的責任和必要性,恒溫晶振同時也認識到針對全球環境問題,為保持國際環境而進行各行業建設性的合作是極其重要的。
過去MERCURY晶振集團已經針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續識別解決其自身環境污染及保持問題,加強責任感以便進行環境績效的持續改進。
MERCURY晶振集團將：插件晶振不論何時何地盡可能的進行源頭污染預防。為環境目標指標的建立與評審提供框架。通過充分利用或回收等方法實現對自然資源的保持。
MERCURY晶振集團將確保其產品及相關設施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環保機構的相關法規規定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協助政府機關和其他官方組織從事的環保活動。 在地方對各項設施的管理責任中,高穩定性恒溫振蕩器確保滿足方針的目標指標,同時在各種經營與生產活動中完全遵守并符合現行所有標準規范的要求MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器。
過去MERCURY晶振集團已經針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續識別解決其自身環境污染及保持問題,加強責任感以便進行環境績效的持續改進。
MERCURY晶振集團將：插件晶振不論何時何地盡可能的進行源頭污染預防。為環境目標指標的建立與評審提供框架。通過充分利用或回收等方法實現對自然資源的保持。
MERCURY晶振集團將確保其產品及相關設施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環保機構的相關法規規定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協助政府機關和其他官方組織從事的環保活動。 在地方對各項設施的管理責任中,高穩定性恒溫振蕩器確保滿足方針的目標指標,同時在各種經營與生產活動中完全遵守并符合現行所有標準規范的要求MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器。
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